層間絶縁膜の形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001113469
Publication number (International publication number)：2002033316
Application date： Aug. 25, 1997
Publication date： Jan. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】有機SOG膜よりなる層間絶縁膜の製膜性、コスト性及び加工性を向上させる。【解決手段】一般式:R1xSi(OR2 )4-x (但し、R1 はフェニル基又はビニル基であり、R2 はアルキル基であり、xは1〜3の整数である。)で表わされる有機シリコン化合物を主成分とする原料を、プラズマ重合反応させるか又は酸化剤と反応させることによって、有機含有シリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜を形成する。R1 がフェニル基である有機シリコン化合物としては、フェニルトリメトキシシラン又はジフェニルジメトキシシランが挙げられ、R1 がビニル基である有機シリコン化合物としては、ビニルトリメトキシシラン又はジビニルジメトキシシランが挙げられる。

Claim (excerpt)：

一般式:R1xSi(OR2 )4-x (但し、R1 はフェニル基又はビニル基であり、R2 はアルキル基であり、xは1〜3の整数である。)で表わされる有機シリコン化合物を主成分とする原料を、プラズマ重合反応させるか又は酸化剤と反応させることによって、有機含有シリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜を形成することを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。

IPC (8)：

H01L 21/312 , C08G 83/00 , C23C 16/26 , C23C 16/40 , C23C 16/505 , H01L 21/314 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (9)：

H01L 21/312 C , C08G 83/00 , C23C 16/26 , C23C 16/40 , C23C 16/505 , H01L 21/314 A , H01L 21/316 X , H01L 21/90 S , H01L 21/90 V

F-Term (51)：

4J031BA05 , 4J031BA17 , 4J031BB01 , 4J031BB02 , 4J031BB05 , 4J031BC07 , 4J031BC13 , 4J031BD24 , 4K030AA06 , 4K030BA27 , 4K030BA29 , 4K030BA61 , 4K030CA04 , 4K030FA01 , 4K030LA15 , 5F033HH11 , 5F033JJ11 , 5F033KK08 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ21 , 5F033QQ25 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033RR06 , 5F033RR23 , 5F033RR24 , 5F033SS03 , 5F033SS10 , 5F033SS15 , 5F033TT04 , 5F033XX01 , 5F033XX24 , 5F033XX34 , 5F058AC03 , 5F058AC05 , 5F058AD05 , 5F058AD06 , 5F058AD11 , 5F058AF02 , 5F058AH02 , 5F058BD04 , 5F058BD09 , 5F058BD10 , 5F058BD19 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-198369 Applicant：川崎製鉄株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-328676 Applicant：川崎製鉄株式会社
漂白洗浄剤組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-168145 Applicant：花王株式会社

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