第二高調波発生素子およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村暁秀 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996029207
Publication number (International publication number)：1996339002
Application date： Feb. 16, 1996
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：

【要約】【課題】青色レーザー光を発光できる第二高調波発生素子において、構造が簡単であって組み立てが容易であり、疑似位相整合処理や高精度のドメイン制御が不要であり、位相整合のための許容温度範囲が広く、高いエネルギーが素子中に集中しても、素子に光損傷が発生しないようにする。【解決手段】K3 Li2-2x(Nb1-y Tay )5+5z O15-x+12.5zを基本組成とする単結晶基板6と、K3 Li2-2a(Nb1-b Tab )5+5c O15-a+12.5cの基本組成を有し、かつ単結晶基板6と異なる屈折率を有するエピタキシャル膜からなる光導波路3とを備えており、a、b、c、x、y、zが下記の関係を満足していることを特徴とする、第二高調波発生素子40(-0.5≦a、x≦0.625、0≦b、y≦0.5、0.8≦(5-2x)/(5+5z)、(5-2a)/(5+5c)≦1.2)を提供する。好ましくは、マイクロ引下げ法によって単結晶基板を製造し、また光導波路を構成するエピタキシャル膜が液相エピタキシャル成長による膜である。

Claim (excerpt)：

K3 Li2-2x(Nb1-y Tay )5+5z O15-x+12.5zを基本組成とする単結晶基板と、K3 Li2-2a(Nb1-b Tab )5+5c O15-a+12.5cの基本組成を有し、かつ前記単結晶基板と異なる屈折率を有するエピタキシャル膜からなる光導波路とを備えており、ここで、a、b、c、x、y、zが下記の関係を満足していることを特徴とする、第二高調波発生素子。-0.5≦a、x≦0.6250≦b、y≦0.50.8≦(5-2x)/(5+5z)、(5-2a)/(5+5c)≦1.2

IPC (2)：

G02F 1/37 , G02F 1/35 505

FI (2)：

G02F 1/37 , G02F 1/35 505

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

波長変換素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-139012 Applicant：パイオニア株式会社
特開平3-054117
特開平4-204525

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