半導体装置とその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田幸彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001382944
Publication number (International publication number)：2002353216
Application date： Dec. 17, 2001
Publication date： Dec. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】本発明の目的は、低誘電体層のSiO2の低減とゲート絶縁膜中への塩素を除去することができ、その結果ゲート絶縁膜の高容量化とリークの発生を抑制できる半導体装置とその製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、シリコン単結晶基板上に素子分離領域と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とが順次形成される半導体装置において、前記ゲート絶縁膜を有機金属と還元溶剤とを有する溶液を用いて化学気相成長法(CVD法)によって形成することを特徴とし、特に、TiO2,HfO2,ZrO2,Al2O3,Ta2O5,Sc2O3,Y2O3,Ln2O3(Lnは希土類元素)の少なくとも1種からなり、前記シリコン単結晶基板とゲート絶縁膜との間に実質的にSiO2を有しないものである。

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶基板上に素子分離領域と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とが順次形成された半導体装置において、前記ゲート絶縁膜は、有機還元溶剤の存在下で化学気相成長法によって形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/316 , C23C 16/40 , H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/316 X , C23C 16/40 , H01L 29/78 301 G

F-Term (43)：

4K030AA11 , 4K030BA02 , 4K030BA10 , 4K030BA17 , 4K030BA18 , 4K030BA22 , 4K030BA42 , 4K030BA44 , 4K030BA59 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030LA02 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC20 , 5F058BF02 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF80 , 5F058BJ10 , 5F140AA19 , 5F140AA24 , 5F140BA01 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BG38 , 5F140BH21 , 5F140BJ01 , 5F140BJ07 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140BK25 , 5F140BK30 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CE07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

成膜・改質集合装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-130258 Applicant：東京エレクトロン株式会社
誘電体層形成のための方法及び装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-553633 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
酸化物積層構造の製造方法および有機金属化学気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-264484 Applicant：ソニー株式会社

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