成膜・改質集合装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅井章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997130258
Publication number (International publication number)：1998079377
Application date： May. 02, 1997
Publication date： Mar. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】金属酸化膜の成膜と改質とを連続的に行ない、成膜レートと改質レートを向上させて全体のスループットを大幅に向上させることができる成膜・改質集合装置を提供する。【解決手段】被処理体Wに対して気化状態の金属酸化膜原料と気化状態のアルコールの存在下の真空雰囲気中にて金属酸化膜を形成する成膜装置4と、前記金属酸化膜を真空雰囲気下において活性酸素原子に晒すことによって改質する改質装置6と、前記成膜装置と前記改質装置とに共通に連結され、真空状態を維持しつつ前記成膜装置と前記改質装置との間で前記被処理体を移載する共通移載室8とを備えるように構成する。これにより、成膜レート、改質レートを共に向上させて全体のスループットを向上させる。

Claim (excerpt)：

被処理体に対して気化状態の金属酸化膜原料と気化状態のアルコールの存在下の真空雰囲気中にて金属酸化膜を形成する成膜装置と、前記金属酸化膜を真空雰囲気下において活性酸素原子に晒すことによって改質する改質装置と、前記成膜装置と前記改質装置とに共通に連結され、真空状態を維持しつつ前記成膜装置と前記改質装置との間で前記被処理体を移載する共通移載室とを備えたことを特徴とする成膜・改質集合装置。

IPC (3)：

H01L 21/31 , C23C 16/40 , C23C 16/44

FI (3)：

H01L 21/31 B , C23C 16/40 , C23C 16/44 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

多目的基板処理装置およびその動作方法および薄膜集積回路の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-291268 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
低温オゾン・プラズマ・アニールによる酸化タンタル薄膜製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-189618 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特開平2-283022

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