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J-GLOBAL ID：200903070285872603

表面キャリア再結合速度の測定方法及び測定装置

Inventor：
竹内 日出雄

About 竹内 日出雄

, 
山本 佳嗣

About 山本 佳嗣


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (2)： 高田 守 ,  高橋 英樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004316818
Publication number (International publication number)：2006128502
Application date： Oct. 29, 2004
Publication date： May. 18, 2006
Summary：
【課題】比較的強度の強いプローブ光の影響を受けたFK振動からであっても表面フェルミ準位を求めることができると同時に表面再結合速度を決定できる表面キャリア再結合速度の測定方法及び測定装置を提供する。【解決手段】半導体試料5の表面に励起光源9によるポンプ光を変調器12を介して照射すると共に、白色光源1によるプローブ光を照射し、上記半導体試料5の表面で反射されたプローブ光の光変調スペクトルをPR信号用検出器8で測定し、上記光変調スペクトルに現れるフランツ・ケルディッシュ振動の周期にもとづいて表面電場強度を算出すると共に、上記表面電場強度とプローブ光強度の関係にもとづいて表面再結合速度と表面フェルミ準位とを算出する。【選択図】図12
Claim (excerpt)：
半導体の表面にポンプ光を変調器を介して照射すると共に、プローブ光を照射し、半導体の表面で反射された上記プローブ光の光変調スペクトルを測定し、上記光変調スペクトルに現れるフランツ・ケルディッシュ振動の周期にもとづいて表面電場強度を算出すると共に、上記表面電場強度とプローブ光強度にもとづいて表面再結合速度と表面フェルミ準位とを算出することを特徴とする表面キャリア再結合速度の測定方法。
IPC (1)：
H01L 21/66
FI (1)：
H01L21/66 M
F-Term (7)：
4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CB10 ,  4M106CB13 ,  4M106DH12 ,  4M106DH31 ,  4M106DH32
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 変調反射分光測定装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-145285   Applicant：分光計器株式会社
Cited by examiner (3)

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