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J-GLOBAL ID：200903070344594124

磁性薄膜メモリ素子およびそれを用いた磁性薄膜メモリ

Inventor：
西村 直樹

About 西村 直樹


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997111040
Publication number (International publication number)：1998302457
Application date： Apr. 28, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、ビットセルを微細化する際に問題となる磁性薄膜の反磁界をなくし、高集積化を可能にした磁性薄膜メモリを提供することを目的とする。【解決手段】 基板上に、膜面内の一方向に磁化配向し低い保磁力を有する第1磁性層と、この第1磁性層の磁化配向と平行または反平行に磁化配向し高い保磁力を有する第2磁性層と、この第1磁性層と第2磁性層との層間に設けられた非磁性層とを有し、2つの磁性層の磁気方向により電気抵抗が変化する磁気抵抗素子に、さらに第1磁性層および磁性層に接して第3磁性層を設け、外部磁界が0のときに第1磁性層、第2磁性層および第3磁性層によりこの非磁性層を囲む閉磁路を構成することを特徴とする磁性薄膜メモリ素子。
Claim (excerpt)：
基板上に、膜面内の一方向に磁化配向し低い保磁力を有する第1磁性層と、この第1磁性層の磁化配向と平行または反平行に磁化配向し高い保磁力を有する第2磁性層と、この第1磁性層と第2磁性層との層間に設けられた非磁性層とを有し、前記第1磁性層の磁化方向とこの第2磁性層の磁化方向が平行のときは低い抵抗値を示し、反平行のときは高い抵抗値を示す磁気抵抗素子を用いた磁性薄膜メモリ素子であって、前記第1磁性層および第2磁性層と共に前記非磁性層を囲むように前記第1磁性層および第2磁性層に接して第3磁性層が設けられ、外部磁界が0のときには前記第1磁性層の磁化方向と前記第2磁性層の磁化方向が反平行状態を示して第1磁性層、第2磁性層および第3磁性層によりこの非磁性層を囲む閉磁路を構成することを特徴とする磁性薄膜メモリ素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (5)
  • 薄膜磁気ヘッド
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-300681   Applicant：株式会社東芝
  • 磁気抵抗性メモリ構造大フラクション利用
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願平6-508400   Applicant：ノンボラタイルエレクトロニクス,インコーポレイテッド
  • 特開平1-136947
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (7)
  • GMRを用いた固体メモリー
  • 磁気ヘッド-基礎と応用, 19960831, 初版, p.97-98
  • 磁気工学の基礎I-磁気の物理-, 19730601, 初版, p.42
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