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J-GLOBAL ID：200903070379373015

マイクロ磁気素子磁心

Inventor： 白川 究 ,  倉田 啓明 ,  三寺 正雄 ,  中島 治
Applicant, Patent owner： 株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994041118
Publication number (International publication number)：1995249516
Application date： Mar. 11, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、数十MHz以上の高周波領域で従来の技術では得られなかった低損失で、かつ実効的な透磁率が高いマイクロ磁気素子磁心を提供することにある。【構成】本発明のマイクロ磁気素子磁心は、金属磁性体膜と絶縁体膜が交互に積層された構造からなる軟磁性多層膜において、金属磁性体膜厚が0.01μm〜0.3μm、絶縁体膜厚が0.02μm〜0.25μmの範囲にあることを特徴とするものである。

Claim (excerpt)：

金属磁性体膜と絶縁体膜が交互に積層された構造からなる軟磁性多層膜において、金属磁性体膜厚が0.01μm〜0.3μm、絶縁体膜厚が0.02μm〜0.25μmの範囲にあることを特徴とするマイクロ磁気素子磁心。

IPC (2)：

H01F 10/08 ,  H01F 17/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 磁性多層膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-226487   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開平4-221812
  
• 特開平4-350908