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J-GLOBAL ID：200903070408255744

磁性多層膜および磁気抵抗変化素子ならびにそれらの製造方法

Inventor： 荒木 悟 ,  宮内 大助 ,  篠浦 治
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993172709
Publication number (International publication number)：1995006915
Application date： Jun. 18, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【構成】 非磁性薄膜を介して少なくとも2層の磁性薄膜を積層して磁性多層膜を形成する。この非磁性薄膜を介して隣合う磁性薄膜の保磁力は互いに異なっている。保磁力の小さい第1の磁性薄膜の膜厚をt<SB>1</SB> 、保磁力の大きい第2の磁性薄膜の膜厚をt<SB>2</SB> 、非磁性薄膜の膜厚をt<SB>3</SB> としたとき、4A <t<SB>2</SB> <20A 、5A <t<SB>1</SB> <20A 、t<SB>1</SB> >t<SB>2</SB> 、32A <t<SB>3</SB> <50A に規制する。【効果】 数Oe〜数十Oe程度の小さい外部磁場で5%以上の大きいMR変化率を示す。そして、-50〜50Oeの磁場範囲でのMR傾きが大きい。さらにヒステリシスが小さく、高周波磁界でのMR傾きも大きい。しかも耐熱性も良好である。従って、高感度の磁気抵抗効果型磁気センサや高密度磁気記録が可能な磁気抵抗効果型磁気ヘッドが実現する。

Claim (excerpt)：

非磁性薄膜を介して積層された少なくとも2層の磁性薄膜を有し、この非磁性薄膜を介して隣合う磁性薄膜の保磁力が異なっており、保磁力の小さい第1の磁性薄膜の厚さをt<SB>1</SB> 、保磁力の大きい第2の磁性薄膜の厚さをt<SB>2</SB> 、非磁性薄膜の厚さをt<SB>3</SB> としたとき、4 A<t<SB>2</SB> <20 A、5A<t<SB>1</SB> ≦20 A、t<SB>1</SB> >t<SB>2</SB> 、32 A<t<SB>3</SB> <50A である磁性多層膜。

IPC (6)：

H01F 10/08 ,  C22C 19/00 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/30 ,  H01F 41/22 ,  H01L 43/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-275354   Applicant：財団法人生産開発科学研究所
• 特開平4-049606
  
• 高飽和磁束密度軟磁性膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-095877   Applicant：アルプス電気株式会社