Pat
J-GLOBAL ID：200903070495327659

半導体レーザ

Inventor：
吉田 浩

About 吉田 浩

, 
浅野 竹春

About 浅野 竹春


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998335850
Publication number (International publication number)：2000164985
Application date： Nov. 26, 1998
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：
【要約】【課題】 低消費電力化および高出力動作時の単一モード化を図ることができ、しかも熱放散性に優れた、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザを提供する。【解決手段】 リッジ形状のストライプを有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、リッジの両側の部分を、活性層16のバンドギャップ以下のバンドギャップを有する第1の窒化物系III-V族化合物半導体層と活性層16のバンドギャップより大きい第2の窒化物系III-V族化合物半導体層とを少なくとも含む埋め込み半導体層20により埋め込む。第1の窒化物系III-V族化合物半導体層は例えばInx Ga1-x N層20a、第2の窒化物系III-V族化合物半導体層は例えばAlz Ga1-z N層20bである。
Claim (excerpt)：
リッジ形状のストライプを有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、上記リッジの両側の部分が、活性層のバンドギャップ以下のバンドギャップを有する第1の窒化物系III-V族化合物半導体層と活性層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有する第2の窒化物系III-V族化合物半導体層とを少なくとも含む埋め込み半導体層により埋め込まれていることを特徴とする半導体レーザ。
F-Term (8)：
5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 特開昭63-213988
  • 損失導波型半導体レーザー
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-221249   Applicant：ゼロックスコーポレイション
  • 特開平4-094184
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM