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J-GLOBAL ID：200903055965608685

損失導波型半導体レーザー

Inventor：
ディヴィッド ピー ボーア

About ディヴィッド ピー ボーア


Applicant, Patent owner：
ゼロックス コーポレイション

About ゼロックス コーポレイション


Agent (1)： 中村 稔 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997221249
Publication number (International publication number)：1998093200
Application date： Aug. 18, 1997
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：
【要約】【課題】 より小さいスポットサイズとすぐれた焦点深度を有し、高解像度印刷装置や高密度光学的記憶装置に利用できる短波長のレーザー光線を発生する損失導波型レーザーを提供する。【解決手段】 本発明の損失導波型レーザーは、基板、基板上に形成した複数の隣接する半導体層、レーザー動作素子の活性層を形成している1つまたはそれ以上の前記半導体層(活性層は III-V族窒化物の材料で作られ、第1屈折率をもつ)、基板の表面に直角な第1方向に光とキャリヤを閉じ込めるため活性層をはさんでいる一対の領域、およびアウトカップリング損失を実現するため前記第1屈折率より高い第2屈折率の材料を活性層に近接して置くことによって形成された横導波領域、から成っている。
Claim (excerpt)：
基体と、前記基体に形成した複数の隣接する半導体層と、レーザー動作素子の活性層を形成している1つまたはそれ以上の前記隣接する半導体層であって、前記活性層が III-V族窒化物の材料で作られ、第1屈折率を有している半導体層と、前記基体の表面に直角の第1方向に光とキャリヤを閉じ込めるため前記活性層をサンドイッチ状にはさんでいる一対の領域と、横導波領域においてアウトカップリング損失を実現するため前記第1屈折率より高い第2屈折率の材料を前記活性層に近接して置くことによって形成された横導波領域とから成ることを特徴とする半導体レーザーデバイス。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • マルチ波長レーザダイオードアレイ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-229360   Applicant：ゼロックスコーポレイション
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-233178   Applicant：ローム株式会社
  • 半導体レーザ素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-243681   Applicant：株式会社日立製作所
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