高純度β-ジケトネート鉛錯体およびその製法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992067440
Publication number (International publication number)：1993271252
Application date： Mar. 25, 1992
Publication date： Oct. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 CVD法によって薄層を形成するための原料として有用な、高純度なβ-ジケトネート鉛錯体を製造する。【構成】無水メタノールにDPMとNaOHを溶解した溶液と、無水メタノールに酢酸鉛3水和物を溶解した溶液とを混合する。得られた沈澱物をろ別して、無水メタノール中で再結晶した後、真空乾燥する。図1中実線で示すように、熱重量分析によって測定される不純物蒸発量が0.01%未満、キレート蒸発量が99.5%以上で、元素分析による炭素含有量が理論量の99.0〜101.0%、水素含有量が理論量の99.0〜101.0%、ICP分析による鉛含有量が理論量の99.0〜101.0%である高純度なPb(DPM)2を得る。

Claim (excerpt)：

鉛とβ-ジケトンからなる錯体であって、下記の特性、(1)熱重量分析によって測定される不純物気化量が0.01%未満であること、(2)熱重量分析によって測定されるキレート気化量が99.5%以上であること、(3)元素分析によって測定される炭素含有量が、理論量の99.0〜101.0%であること、(4)元素分析によって測定される水素含有量が、理論量の99.0〜101.0%であること、(5)ICP分析によって測定される鉛含有量が、理論量の99.0〜101.0%であることを有する高純度β-ジケトネート鉛錯体。

IPC (2)：

C07F 7/24 , C23C 16/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平2-057686
特開昭53-104422
強誘電性セラミツクス薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-156866 Applicant：三菱電機株式会社

Show all

Return to Previous Page