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J-GLOBAL ID：200903070542566152

プラズマ酸化膜処理装置

Inventor：
宇佐美 達矢

About 宇佐美 達矢


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995327701
Publication number (International publication number)：1997167755
Application date： Dec. 15, 1995
Publication date： Jun. 24, 1997
Summary：
【要約】【課題】 チャンバーエッチング時間を短縮することが出来、且つ、絶縁カバーのオーバーエッチングやパーティクルの発生を抑制したプラズマ酸化膜処理装置を提供すること。【解決手段】 CVD処理時に堆積する生成膜をSiO2 膜に限定し、且つ、チャンバーエッチングに使用するガスをフロロカーボン系ガスに限定することにより、SiO2 膜とSiCとのエッチング選択比の向上を図り、また、チャンバーエッチングを行なう際に、基板側の電極を電源に接続して電源基板電極にすることにより、接地基板電極とした場合に比べて基板側電極の周辺部品のエッチングレートを速くすることが出来るため、チャンバーエッチング時間の短縮を図る。
Claim (excerpt)：
ガスをプラズマの状態で用いて試料をエッチング及びCVD処理をするプラズマ処理装置であって、CVD処理の際に生成される膜が二酸化珪素膜であるプラズマ酸化膜処理装置において、基板側の電極である基板側電極と、該基板側電極に対峙している対基板側電極と、電源とを有しており、前記基板側電極は、前記電源に接続された電源基板電極であり、前記対基板側電極は、接地された接地電極であり、該電源基板電極の周辺部は、炭化珪素で構成されており、エッチングを行なう際に使用する前記ガスは、フロロカーボン系ガスであることを特徴とするプラズマ酸化膜処理装置。
IPC (5)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46
FI (5)：
H01L 21/302 N ,  C23C 16/44 J ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 多電極プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-152457   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
  • 特開平2-070066
  • 特開平4-131379
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