多電極プラズマ処理装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993152457
Publication number (International publication number)：1994084812
Application date： Jun. 23, 1993
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】プラズマ強化処理による半導体ウエーハ製作において、堆積膜のストレスと堆積速度と膜の均一性を独立に制御し、処理室のクリーニングを効率的に行なうことのできる装置と方法を提案する。【構成】プラズマ処理装置(10)は、シャワーヘッド組立体(52)と、無線周波数チャック(24)と、スクリーン電極(66)とを備え、いずれも低周波電源(108)と高周波電源(100、132)と電気接地(110)に接続することができ、または電気的に浮遊(94)したままでよい。スクリーン電極(66)のスクリーン(70)はシャワーヘッド組立体(52)と半導体ウエーハ(22)を囲み、電源(100、108)に接続してプラズマ処理環境(62)に影響を与え、プラズマの濃度や均一性などを独立に制御する。

Claim (excerpt)：

製作反応器処理室におけるプラズマ強化処理のための多電極プラズマ発生システムであって、プラズマ生成ガスを半導体ウエーハの表面に注入するためのシャワーヘッド電極組立体を保持するチャック電極と、プロセス・プラズマ特性を変えるための周辺室壁電極と、を備えるプラズマ発生装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 21/302 , H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平1-283363
特開平1-140724
特開平1-238120

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