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J-GLOBAL ID：200903070587076431

基板の処理装置

Inventor： 実沢 佳居 ,  渡辺 裕之 ,  平瀬 征基 ,  秋月 誠 ,  青江 弘行
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993316524
Publication number (International publication number)：1995169700
Application date： Dec. 16, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 安価な構成で、絶縁膜上に形成される配線等の素子に、フッ素が悪影響を与えることを抑制し、デバイスとしての信頼性を向上させることる。【構成】 プラズマCVDにより基板3に酸化膜10を堆積し、基板3を取り出した後に、処理室1内に堆積された酸化膜11をフッ素プラズマにより除去するものであって、次の基板が挿入される前に、プラズマCVDを行って処理室1内に約0.3μm以上の膜厚の酸化膜を被着させるもの。

Claim (excerpt)：

プラズマCVDにより基板に酸化膜や窒化膜等の絶縁膜を堆積し、基板を取り出した後に、処理室内に堆積された絶縁物をフッ素プラズマにより除去するものであって、次の基板が挿入される前に、プラズマCVDを行って前記処理室内に約0.3μm以上の膜厚の絶縁膜を被着させることを特徴とした基板の処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-240267
  
• CVD装置のプラズマ・クリーニング後処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-090275   Applicant：株式会社東芝