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J-GLOBAL ID：200903070588880072
磁気ランダムアクセスメモリシステム、及び磁気ランダムアクセスメモリの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (7)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002206172
Publication number (International publication number)：2004047027
Application date： Jul. 15, 2002
Publication date： Feb. 12, 2004
Summary：
【課題】アセンブリや電気的評価後にピン層のスピンのばらつきを修正できる磁気ランダムアクセスメモリシステムを提供することを目的とする。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリシステムは、トンネル磁気抵抗素子10、ワード線WL1〜WLn、ビット線BL1〜BLm、書き込みドライバ、及び全ての書き込みドライバを同時に選択状態にできる書き込み回路52を備えている。上記トンネル磁気抵抗素子には、ピン層12、絶縁層13及びメモリ層11が積層されている。各トンネル磁気抵抗素子は、ワード線WL1〜WLnとビット線BL1〜BLmとの交差位置近傍にそれぞれ配置され、メモリセルMC11〜MCmnとして働く。そして、上記トンネル磁気抵抗素子におけるピン層のスピンのばらつきを修正する際に、上記電流供給手段から前記ワード線またはビット線の少なくとも一本に電流を流すことを特徴としている。【選択図】 図4
Claim (excerpt)：
ワード線と、
前記ワード線に交差する方向に配置されるビット線と、
前記ワード線とビット線との交差位置近傍に配置され、ピン層、絶縁層及びメモリ層が積層されたトンネル磁気抵抗素子と、
前記ワード線及びビット線に選択的に電流を流し、前記トンネル磁気抵抗素子にデータを書き込む書き込みドライバと、
前記トンネル磁気抵抗素子におけるピン層のスピンのばらつきを修正する際に、前記ワード線またはビット線の少なくとも一本に電流を流す電流供給手段と
を具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリシステム。
IPC (4)：
G11C11/15
, G01R31/28
, G11C29/00
, H01L43/08
G11C11/15 195
, G11C29/00 651Z
, H01L43/08 Z
, G01R31/28 B
, H01L27/10 447
2G132AA00
, 2G132AA08
, 2G132AB01
, 2G132AD00
, 2G132AE00
, 2G132AL00
, 5F083FZ10
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
, 5F083NA01
, 5F083NA08
, 5L106DD22
