半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩佐義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993317859
Publication number (International publication number)：1995176608
Application date： Dec. 17, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】選択的に酸素イオン注入をして局部的に埋込み酸化膜層を形成する際に、埋込み酸化膜層と半導体基板界面に欠陥が発生するのを防止することを目的としている。【構成】選択的に酸素をイオン注入する工程と、このイオン注入領域に接する部分もしくは一部がイオン注入領域に含まれ、かつイオン注入領域を囲むよう半導体基板1の内部に、イオン注入の投影飛程6と3倍の偏差7の和よりも深い溝8を形成する工程と、前記イオン注入した層を安定な酸化膜層4にする熱処理工程を少なくとも含んでいる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の内部に絶縁膜を埋設した溝が設けられ、前記溝に接しかつ囲まれた領域に選択的に設けられた酸素をイオン注入し形成した埋込み酸化膜層を有する半導体装置であって、前記溝の深さが前記イオン注入の投影飛程と3倍の偏差の和よりも深いことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/76 , H01L 21/265 , H01L 27/08 331 , H01L 27/12

FI (3)：

H01L 21/76 R , H01L 21/265 J , H01L 21/76 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-287614 Applicant：三菱電機株式会社

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