Pat
J-GLOBAL ID:200903070619205476
圧電体薄膜素子およびそれを用いたアクチュエータ、インクジェットヘッドならびにインクジェット記録装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002310739
Publication number (International publication number):2004146640
Application date: Oct. 25, 2002
Publication date: May. 20, 2004
Summary:
【課題】誘電体薄膜の機械的強度を保持し、引っ張り応力によるクラックや膜破壊を防止する。【解決手段】基板21と、基板21上に形成された第1の電極3と、第1の電極3上に基板加熱により形成された誘電体薄膜10と、誘電体薄膜10上に形成された第2の電極22を備えた誘電体薄膜素子であって、誘電体薄膜10と基板21とは相互に熱膨張係数が異なり、基板21により誘電体薄膜10が圧縮膜とされるようにする。つまり、誘電体薄膜10の熱膨張係数をαp、基板21の熱膨張係数をαsとすると、αp<αsの関係を満たすようにする。【選択図】 図5
Claim (excerpt):
基板と、前記基板上に形成された第1の電極と、前記第1の電極上に基板加熱により形成された圧電体薄膜と、前記圧電体薄膜上に形成された第2の電極を備えた圧電体薄膜素子であって、
前記圧電体薄膜と前記基板とは相互に熱膨張係数が異なり、前記基板により前記圧電体薄膜が圧縮膜とされていることを特徴とする圧電体薄膜素子。
IPC (7):
H01L41/09
, B41J2/045
, B41J2/055
, B41J2/16
, C23C14/34
, H01L41/18
, H01L41/24
FI (7):
H01L41/08 C
, C23C14/34 R
, H01L41/18 101Z
, H01L41/22 A
, H01L41/08 J
, B41J3/04 103H
, B41J3/04 103A
F-Term (26):
2C057AF93
, 2C057AG39
, 2C057AG43
, 2C057AG44
, 2C057AP02
, 2C057AP14
, 2C057AP25
, 2C057AP52
, 2C057AQ06
, 2C057BA03
, 2C057BA14
, 4K029AA04
, 4K029AA07
, 4K029AA09
, 4K029BA02
, 4K029BA07
, 4K029BA13
, 4K029BA17
, 4K029BA43
, 4K029BB02
, 4K029BB09
, 4K029CA05
, 4K029DC34
, 4K029EA00
, 4K029EA03
, 4K029EA09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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圧電体素子及びこれを用いた電気機器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-101286
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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