Pat
J-GLOBAL ID:200903025131837044

圧電体素子及びこれを用いた電気機器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 稲葉 良幸 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001101286
Publication number (International publication number):2002299714
Application date: Mar. 30, 2001
Publication date: Oct. 11, 2002
Summary:
【要約】【課題】 電歪領域で駆動させる場合に好適な特性を示すことのできる圧電体素子を提供する。【解決手段】 圧電体膜23と、この圧電体膜の両面を挟んで配置される下部電極22および上部電極24とを備えた圧電体素子21であって、前記圧電体膜は、菱面体晶系で、かつ(001)面優先配向であり、電界方向の格子定数が面内の格子定数より大きいことを特徴とする。前記圧電体膜は、面方向に圧縮応力を有することが好ましく、前記圧電体膜をSiO2基板上に形成し、かつ膜厚を1μm以上とすることが好ましい。
Claim (excerpt):
圧電体膜と、この圧電体膜の両面を挟んで配置される下部電極および上部電極とを備えた圧電体素子であって、前記圧電体膜は、菱面体晶系で、かつ(001)面優先配向であり、電界方向の格子定数が面内の格子定数より大きいことを特徴とする圧電体素子。
IPC (6):
H01L 41/09 ,  B81B 3/00 ,  F04B 9/00 ,  F04B 43/04 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/22
FI (6):
B81B 3/00 ,  F04B 9/00 B ,  F04B 43/04 B ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/22 Z
F-Term (14):
3H075AA01 ,  3H075BB04 ,  3H075BB21 ,  3H075CC00 ,  3H075CC32 ,  3H075DB02 ,  3H077AA00 ,  3H077CC02 ,  3H077CC09 ,  3H077DD06 ,  3H077EE34 ,  3H077FF07 ,  3H077FF22 ,  3H077FF36
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page