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J-GLOBAL ID:200903070646463665

セラミックス回路基板およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002116485
Publication number (International publication number):2003309210
Application date: Apr. 18, 2002
Publication date: Oct. 31, 2003
Summary:
【要約】【課題】 ろう付け接合後のセラミックス基板に発生するクラックの防止と熱伝導性および温度サイクル寿命を改善したセラミックス回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】 厚みが0.2〜0.9mmのセラミックス基板11の表面に活性金属を含むろう材14を介して厚み3mm以下の金属回路板12を設け、またセラミックス基板の裏面には活性金属を含むろう材14を介して金属放熱板13を設けた接合体であって、この接合体は-110°C以下で少なくとも1回の冷却処理を施したものであり、これにより接合体の室温における反り量は50mm当り100μm以下である。また、セラミックス基板に加わる残留応力が650MPa以下であるセラミックス回路基板。
Claim (excerpt):
セラミックス基板の表面にろう材を介して金属回路板を、および前記セラミックス基板の裏面にろう材を介して金属放熱板をそれぞれ設けた接合体であって、該接合体は-110°C以下で冷却処理されて、室温における反り量が50mm当り100μm以下であることを特徴とするセラミックス回路基板。
IPC (6):
H01L 23/12 ,  C04B 37/02 ,  H01L 23/13 ,  H05K 1/02 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/22
FI (6):
C04B 37/02 Z ,  H05K 1/02 F ,  H05K 3/06 A ,  H05K 3/22 C ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/12 C
F-Term (32):
4G026BA03 ,  4G026BA16 ,  4G026BA17 ,  4G026BB22 ,  4G026BB23 ,  4G026BB27 ,  4G026BF11 ,  4G026BF16 ,  4G026BF20 ,  4G026BF24 ,  4G026BF42 ,  4G026BG02 ,  4G026BG23 ,  4G026BH07 ,  5E338AA01 ,  5E338AA18 ,  5E338EE02 ,  5E338EE26 ,  5E339AB06 ,  5E339BC02 ,  5E339BC03 ,  5E339BD06 ,  5E339BE13 ,  5E343AA24 ,  5E343BB24 ,  5E343BB28 ,  5E343BB55 ,  5E343BB67 ,  5E343CC01 ,  5E343DD76 ,  5E343ER31 ,  5E343ER54
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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