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J-GLOBAL ID：200903070703496451
炭化ケイ素半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997165471
Publication number (International publication number)：1998112460
Application date： Jun. 23, 1997
Publication date： Apr. 28, 1998
Summary：
【要約】【課題】炭化ケイ素半導体装置の熱酸化膜形成後の界面凖位密度を低減する。【解決手段】熱酸化後の不活性ガス中のアニール時間を2時間未満とする。また、一度形成した熱酸化膜を300〜500°Cの低温で水素や、水等の水素原子を含むガス中で熱処理するのもよい。更にまた、熱酸化後および熱酸化後の熱処理工程後の冷却期間の少なくとも一部で、水素原子を含むガスを雰囲気とする。
Claim (excerpt)：
炭化ケイ素表面に熱酸化によってシリコン酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程を有する炭化ケイ素半導体装置の製造方法において、前記熱酸化後、不活性ガス雰囲気中で行うアニールは2時間より短くすることを特徴とする炭化けい素半導体装置の製造方法。
Patent cited by the Patent：
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