エピタキシャル成長層を絶縁層上に設ける方法及びエピタキシャル成長層を絶縁層上に有するシリコンウエハ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994045763
Publication number (International publication number)：1995254689
Application date： Mar. 16, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】デバイス形成層の特性の均一性の良好なSOIウエハを得る。【構成】シリコン酸化膜3上にSOIウエハのデバイス形成層に用いられるエピタキシャル成長層4を形成する。【効果】エピタキシャル成長層4の特性の均一性は通常ウエハと比較して極めて良好であり、デバイス形成層の特性の均一化が図れる。

Claim (excerpt)：

少なくとも一つの主面が単結晶の基体の該主面上に直接エピタキシャル成長させてエピタキシャル成長層を形成する工程と、前記基体と接している面とは反対側の前記エピタキシャル成長層の表面に絶縁層を配設する工程と、前記基体を削り取り、前記エピタキシャル成長層を露出させる工程とを備える、エピタキシャル成長層を絶縁層上に設ける方法。

IPC (3)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/304 321

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

SOIウエハおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-212200 Applicant：富士通株式会社
特開平3-235348
特開平4-035044

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