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J-GLOBAL ID：200903070755175548

化合物半導体素子及びその製造方法

Inventor：
弓削 省三

About 弓削 省三


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997202772
Publication number (International publication number)：1999054794
Application date： Jul. 29, 1997
Publication date： Feb. 26, 1999
Summary：
【要約】【課題】発光効率、信頼性が非常に高い発光素子及びレーザ素子の提供【解決手段】 発光素子において、InGaN 活性層15とAlGaN クラッド層13、17 の間に、In組成が徐々に変化するInGaN グレイテッド層14、16 を形成する。この形成にあたっては、In原料とその他の〓属原料の供給量またはこれらの比を一定にしたまま、温度を昇温または降温することによってIn組成を徐々に変化させる。これにより、発光効率、信頼性が非常に高い発光素子及びレーザ素子を再現性良く形成できる。
Claim (excerpt)：
Aly Ga1 y N クラッド層(0≦y≦1) と、前記Aly Ga1 y N クラッド層上に形成されたIn組成比が徐々に増加するInu Ga1-u N グレイテッド層(0≦u≦1) と、前記Inu Ga1-u N グレイテッド層上に形成されたInx Ga1-x N 活性層(0≦x≦1) と、前記Inx Ga1-x N 活性層上に形成されたIn組成比が徐々に減少するInw Ga1-w Nグレイテッド層(0≦w≦1) と、前記Inw Ga1-w N グレイテッド層上に形成されたAlz Ga1 z N クラッド層(0≦z≦1) とを有することを特徴とする化合物半導体素子。
IPC (3)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18
FI (3)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 窒化物半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-322924   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • 特開昭61-164286
  • 特開昭59-088885
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Cited by examiner (3)
  • 窒化物半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-322924   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • 特開昭61-164286
  • 特開昭59-088885

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