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J-GLOBAL ID：200903070785576571

酸性基含有ポリベンズイミダゾール系化合物を含む組成物

Inventor：
坂口 佳充

About 坂口 佳充

, 
北村 幸太

About 北村 幸太


Applicant, Patent owner：
東洋紡績株式会社

About 東洋紡績株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003377857
Publication number (International publication number)：2005139318
Application date： Nov. 07, 2003
Publication date： Jun. 02, 2005
Summary：
【課題】 簡潔な製膜プロセスで成形できるとともに、高温高湿下での膜膨潤を抑えながら高いイオン伝導特性を示すとともに、メタノール透過性が低い高分子電解質膜を得る。【解決手段】 特定の構造を有するスルホン酸基含有ポリアリーレンエーテル系化合物と特定の酸性基含有ポリベンズイミダゾール系化合物を含む組成物により、上記特性に優れた高分子電解質膜を得ることができる。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
下記の式(1)で示される構成成分を含むポリベンズイミダゾール系化合物とともに、下記の式(2)および下記の式(3)で示される構成成分を含むポリアリーレンエーテル系化合物を含有していることを特徴とする組成物。
IPC (10)：
C08G73/18 ,  C08G65/34 ,  C08J5/22 ,  C09J171/10 ,  C09J179/04 ,  C25B13/08 ,  H01B1/06 ,  H01B13/00 ,  H01M8/02 ,  H01M8/10
FI (10)：
C08G73/18 ,  C08G65/34 ,  C08J5/22 ,  C09J171/10 ,  C09J179/04 A ,  C25B13/08 301 ,  H01B1/06 A ,  H01B13/00 Z ,  H01M8/02 P ,  H01M8/10
F-Term (41)：
4F071AA51 ,  4F071AA58 ,  4F071AF08 ,  4F071AF10 ,  4F071AF13 ,  4F071AF37 ,  4F071AH15 ,  4F071AH19 ,  4F071FA05 ,  4F071FA08 ,  4F071FB05 ,  4F071FC01 ,  4J005AA23 ,  4J005AA24 ,  4J040EE061 ,  4J040EH001 ,  4J043PA04 ,  4J043PC186 ,  4J043QB41 ,  4J043QB64 ,  4J043RA42 ,  4J043SA82 ,  4J043TA75 ,  4J043ZA04 ,  4J043ZA12 ,  4J043ZA41 ,  4J043ZA44 ,  4J043ZB11 ,  4J043ZB13 ,  4J043ZB14 ,  4J043ZB49 ,  5G301CD01 ,  5G301CE01 ,  5H026AA08 ,  5H026BB03 ,  5H026BB04 ,  5H026CX05 ,  5H026EE18 ,  5H026HH03 ,  5H026HH05 ,  5H026HH08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
  • USP-5312895号公報
  • USP5,498,784号公報
  • 高分子電解質膜およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-142226   Applicant：ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト
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