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J-GLOBAL ID：200903070816265790

窒化ガリウム系化合物半導体の電極材料

Inventor： 妹尾 雅之 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992118227
Publication number (International publication number)：1993291621
Application date： Apr. 10, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 p型層およびn型層からオーミック接触を得ることにより、窒化ガリウム系化合物半導体を利用して、低駆動電圧化、高輝度化した発光デバイスと実現する。【構成】 p型不純物をドープしたGaXAl1-XNにAu、Pt、Ag、Niよりなる群から選択される少なくとも一種の金属、またはそれらの合金を使用し、またn型不純物をドープしたGaXAl1-XNにはAl、Cr、Ti、Inよりなる群から選択される少なくとも一種の金属、またはそれらの合金を使用する。

Claim (excerpt)：

p型不純物をドープした一般式GaXAl1-XN(但し0≦X≦1)で表される窒化ガリウム系化合物半導体とオーミック接触を得る電極材料として、Au、Pt、Ag、Niよりなる群から選択される少なくとも一種の金属、またはそれらの合金を使用することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の電極材料。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭57-062579
  
• 特開平3-183173
  
• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-211793   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開平4-273175