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J-GLOBAL ID：200903070919518689

ショットキーデバイス

Inventor： 柴田 智彦 ,  田中 光浩 ,  清水 尚博
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社
Agent (1)： 杉村 興作
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002078644
Publication number (International publication number)：2003282863
Application date： Mar. 20, 2002
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】リーク電流を低減して実用に供することのできるショットキーデバイスを提供できるとともに、ブレイクダウン電圧の絶対値の増大に起因して大電流大容量タイプのショットキーデバイスを提供する。【解決手段】基板1上に、転位密度1011/cm2以下、(002)面におけるX線ロッキングカーブにおける半値幅90秒以下の、Alを含む窒化物からなる下地層2をエピタキシャル成長させ、この下地層2上に、転位密度1010/cm2以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が150秒以下の、Al、Ga、及びInの少なくとも一つを含む窒化物からなる導電層3をエピタキシャル成長させる。そして、導電層3上にAl/Niからなるショットキー電極4を設けるとともに、Al/Tiからなるオーミック電極5を設ける。

Claim (excerpt)：

基板と、この基板上にエピタキシャル成長されたAlを含み、転位密度が1011/cm2以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブにおける半値幅が100秒以下である第1の窒化物半導体からなる下地層と、この下地層上にエピタキシャル成長されたAl、Ga、及びInの少なくとも一つを含み、転位密度が1010/cm2以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブにおける半値幅が200秒以下である第2の窒化物半導体からなる導電層とを実質的に具えることを特徴とする、ショットキーデバイス。

IPC (3)：

H01L 29/47 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/872

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/48 P

F-Term (14)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC03 ,  4M104FF35 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CB02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭61-091977