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J-GLOBAL ID：200903070920027885

窒化シリコン膜の形成方法およびその窒化シリコン膜

Inventor： 高橋 誠一 ,  三橋 哲雄 ,  浅利 伸 ,  太田 賀文 ,  中村 久三
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 飯阪 泰雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995221141
Publication number (International publication number)：1997050996
Application date： Aug. 07, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：

【要約】[課題] 膜厚分布の小さい平坦な窒化シリコン膜の形成方法、およびその窒化シリコン膜を提供すること。[解決手段] 好ましくは0.5%濃度のフッ化水素酸で前処理したシリコン基板4を減圧CVD用真空装置10のプロセスチューブ11内でアンモニアの圧力133Pa、温度700°C、時間30分の条件下に処理することによりシリコン基板4上の自然酸化膜5の表面を熱窒化させて熱窒化による窒化シリコン膜1で被覆し、続いてその上へジクロロシランとアンモニアとを圧力53Pa、温度700°C、時間7分の条件で反応させて気相成長による窒化シリコン膜2を形成させ、膜厚4nmの窒化シリコン膜3とする。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に熱窒化による窒化シリコン膜を形成させ、その上へ気相成長による窒化シリコン膜を形成させる窒化シリコン膜の形成方法において、前記シリコン基板をアンモニアの存在下、温度500〜1000°C、時間10〜120分の条件で処理することによって前記シリコン基板上の自然酸化膜を熱窒化させて前記熱窒化による窒化シリコン膜を形成させる工程と、続いて前記熱窒化による窒化シリコン膜の上へ前記気相成長による窒化シリコン膜を形成させる工程とを有することを特徴とする窒化シリコン膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31

FI (4)：

H01L 21/318 B ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-316465
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-121030   Applicant：株式会社東芝