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J-GLOBAL ID：200903070945322008

高耐圧半導体装置

Inventor： 井上 智樹 ,  大村 一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996094171
Publication number (International publication number)：1997283754
Application date： Apr. 16, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】深い拡散層を形成することなく、高耐圧の半導体装置を提供する。【解決手段】高耐圧半導体装置は、素子領域51とその周囲に配置された接合終端領域52とを有する。素子領域51及び接合終端領域52において、高抵抗のn型ベース層31の表面内にp型ベース層34が拡散形成される。素子領域51には、ゲート電極37を埋め込んだ複数のトレンチ35が形成される。素子領域51を囲んで、接合終端領域52には連続或いは不連続なリング形状を有する複数の終端トレンチ55が形成される。トレンチ55はp型ベース層34を貫通し、n型ベース層31の途中まで達する深さを有する。接合終端領域52において、p型ベース層34はトレンチ55により電気的に分離された複数の部分に分割される。

Claim (excerpt)：

第1導電型ベース層と、前記第1導電型ベース層の表面内に形成された第2導電型ベース層とにより形成される主接合を具備すると共に、主電流が流れる素子領域と前記素子領域を包囲する接合終端領域とを具備する高耐圧半導体装置であって、前記接合終端領域が、前記第2導電型ベース層を貫通し且つ前記第1導電型ベース層の途中の深さまで到達するように形成された複数の終端トレンチを有し、前記接合終端領域において前記終端トレンチにより前記第2導電型ベース層が電気的に分離された複数の部分に分割されることを特徴とする高耐圧半導体装置。

FI (3)：

H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 655 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-246619   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭56-035463
  
• 特開昭50-116180