Pat

J-GLOBAL ID：200903070950331864

結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ

Inventor： 飯田 誠 ,  飯野 栄一 ,  鈴木 聡 ,  木村 雅規 ,  村岡 正三
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997364143
Publication number (International publication number)：1999180800
Application date： Dec. 17, 1997
Publication date： Jul. 06, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 CZ法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、熱酸化処理時に OSFリングは発生せず、OSF リング核は存在せず、FPD 及び L/Dがウエーハ全面内に存在せず、該リング内側のN1(V)領域を最大限拡大した極低欠陥密度であり、ゲッタリング能力のあるシリコン単結晶ウエーハを提供する。【解決手段】 CZ法において引上速度をF[mm/min]とし、シリコンの融点から1400°C間の引上軸方向の結晶内温度勾配平均値をG[°C/mm]で表した時、F/G値を縦軸、D(結晶中心から外周までの距離)を横軸とした欠陥分布図において、OSF リングの内側のN1 (V)領域で引上げるか、F/G 値を結晶中心で0.130〜0.142mm2/°C・minとして引上げる。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際に、引上げ速度をF[mm/min]とし、シリコンの融点から1400°Cの間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をG[°C/mm]で表した時、結晶中心から結晶周辺までの距離D[mm]を横軸とし、F/G[mm2 /°C・min]の値を縦軸として欠陥分布を示した欠陥分布図において、V-リッチ領域とN1 (V)領域の境界線、ならびにN1 (V)領域とOSFリング領域の境界線で囲繞されたN1 (V)領域内で結晶を引上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/00

FI (2)：

C30B 29/06 502 J ,  C30B 15/00 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-325428   Applicant：信越半導体株式会社