半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000024452
Publication number (International publication number)：2001217208
Application date： Feb. 01, 2000
Publication date： Aug. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】光沢剤と抑止剤とを含む電解めっき液中おいて電解めっきを行うことにより微細な凹部をめっき層により充填する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記凹部においてめっき層が盛り上がるのを抑制する。【解決手段】前記微細な凹部がめっき層により充填された時点において、電解めっき液中に通電されるめっき電流の極性を反転させる。

Claim (excerpt)：

開口を有する絶縁膜が被膜された基板を、抑制剤と促進剤とを含んだ電解めっき液中に浸漬する工程と、前記基板を一方の電極として、前記電解めっき液中に一極性の電流を通電する第1の通電工程と、前記開口が金属めっき層により実質的に充填された時点ないしそれ以降に、前記電流の極性を前記一極性から反転させ、前記電解めっき液中に反対極性の電流を通電する第2の通電工程と、前記基板を一方の電極として、前記電流の極性を前記反対極性から反転させ、前記電解めっき液中に前記一極性の電流を通電する第3の通電工程とを、順に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/288 , C25D 7/12 , H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/288 E , C25D 7/12 , H01L 21/90 A

F-Term (41)：

4K024AB03 , 4K024AB15 , 4K024BB12 , 4K024BC10 , 4K024CA02 , 4K024CA07 , 4K024CA08 , 4K024CB05 , 4K024CB13 , 4K024CB21 , 4K024DB07 , 4K024GA16 , 4M104BB04 , 4M104BB32 , 4M104DD52 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH20 , 5F033HH11 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ32 , 5F033KK11 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033TT02 , 5F033XX00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置の製造方法、電解めっき方法および電解めっき装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-345660 Applicant：松下電子工業株式会社

Cited by examiner (1)

半導体装置の製造方法、電解めっき方法および電解めっき装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-345660 Applicant：松下電子工業株式会社

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