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J-GLOBAL ID：200903071175089012
プラズマエッチング装置の制御方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
亀谷 美明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993284206
Publication number (International publication number)：1995122543
Application date： Oct. 20, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：
【要約】【目的】 高周波誘導方式のプラズマ処理装置で安定した高いエッチング速度でエッチングを行う制御方法を提供する。【構成】 本発明によれば、エッチング処理時に処理室内に存在する量が相対的に大きく変動する第1のガス成分と、処理室内に存在する量が相対的に変動しない第2のガス成分との発光強度比を観測し、この発光強度比の変動に応じて、高周波アンテナに印加する高周波エネルギをフィードバック制御することにより、リアルタイムで処理室内プラズマ状態を最適に維持し、特にエッチングの終了時点を正確に制御することが可能である。また予め最適なエッチング速度を得られる圧力範囲をダミーウェハに基づいて求めることにより、処理容器内の圧力を観測するのみで、最適なエッチング制御を行うことができる。
Claim (excerpt)：
処理室の外部に絶縁体を介して配置された高周波アンテナに高周波電力を印加することによりその処理室内に誘導プラズマを励起して、その処理室内に配置された被処理体にエッチング処理を施すプラズマエッチング装置を制御するにあたり、エッチング処理に際して処理室内に存在する量が相対的に大きく変動する第1のガス成分と、エッチング処理に際して処理室内に存在する量が相対的に変動しない第2のガス成分との発光強度比を観測し、その発光強度比の変動に応じて、前記高周波アンテナに印加される高周波エネルギを制御することを特徴とする、プラズマエッチング処理装置の制御方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/302 E
, H01L 21/302 A
Cited by examiner (6)
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