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J-GLOBAL ID：200903071213773356

ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ

Inventor：
太田 裕道

About 太田 裕道

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細野 秀雄

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神谷 利夫

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平野 正浩

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Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

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太田 裕道

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Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002266012
Publication number (International publication number)：2004103957
Application date： Sep. 11, 2002
Publication date： Apr. 02, 2004
Summary：
【課題】Siに替わって、透明酸化物半導体であるZnOを用いて、電界効果型トランジスタを作製する試みがなされている。しかし、ZnOは、電気伝導度を小さくすることが難しく、ノーマリーオフの電界効果型トランジスタを構成できないなどの欠点がある。また、アモルファス状態を作り難いので、大面積に適したアモルファストランジスタを作製することができない。【解決手段】反応性固相エピタキシャル法により製造したホモロガス化合物InMO3(ZnO)m(M=In, Fe, Ga, 又はAl, m=1以上50未満の整数)単結晶薄膜は化学量論組成からのずれが極めて小さく、室温付近では良質な絶縁体であり、ホモロガス化合物単結晶InMO3(ZnO)m(M=In, Fe, Ga, 又はAl, m=1以上50未満の整数)薄膜を活性層として用いることにより、ノーマリーオフ作動で、スイッチング特性の良い透明薄膜電界効果型トランジスタを作製できる。【選択図】 図4
Claim (excerpt)：
ホモロガス化合物InMO3(ZnO)m(M=In, Fe, Ga ,又はAl, m=1以上50未満の整数)薄膜を活性層として用いることを特徴とする透明薄膜電界効果型トランジスタ。
IPC (2)：
H01L29/786 ,  H01L21/363
FI (2)：
H01L29/78 618B ,  H01L21/363
F-Term (19)：
5F103AA10 ,  5F103DD01 ,  5F103GG03 ,  5F103LL07 ,  5F110AA06 ,  5F110AA24 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110FF01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG41
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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