半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：秋田収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999199897
Publication number (International publication number)：2001028420
Application date： Jul. 14, 1999
Publication date： Jan. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】微小な半導体装置の封止体を比較的容易に低コストで形成する。【解決手段】アイランドに固定した半導体素子とリードとを接続し封止体によって封止した半導体装置の外部端子となるアイランド或いはリードが封止体底面にて露出させ、このアイランド或いはリードの側面と前記封止体の側面とを同一平面に構成し、アイランド或いはリードの下面部内方に凹部を設ける。個々の半導体装置に用いられるアイランド或いはリードの組を複数組一体に形成し、前記アイランド或いはリードの下面部内方に凹部が設けられたリードフレームに、複数の半導体素子のダイボンディングを行なう工程と、前記夫々の半導体素子と前記リードとを電気的に接続する工程と、複数の半導体素子を列毎に一つのキャビティとして一体に封止体をモールドする工程と、前記キャビティ及びリードフレームを切断し、個別の半導体装置に分離する工程とを有する。

Claim (excerpt)：

アイランドに固定した半導体素子とリードとを接続し封止体によって封止した半導体装置において、半導体装置の外部端子となるアイランド或いはリードが封止体底面にて露出し、このアイランド或いはリードの側面と前記封止体の側面とが同一平面を構成し、アイランド或いはリードの下面部内方に凹部が設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/50 , H01L 23/12 , H01L 23/28

FI (3)：

H01L 23/50 R , H01L 23/28 A , H01L 23/12 L

F-Term (13)：

4M109AA02 , 4M109BA02 , 4M109CA21 , 4M109DB15 , 4M109FA04 , 5F067AA01 , 5F067AB04 , 5F067BA00 , 5F067BB01 , 5F067BE01 , 5F067DE01 , 5F067DE04 , 5F067DF03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平1-106456
電子部品とその製造方法及びそれに用いるリードフレームと金型
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-045347 Applicant：松下電子工業株式会社
半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-327967 Applicant：三洋電機株式会社

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