半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997101308
Publication number (International publication number)：1998294316
Application date： Apr. 18, 1997
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】配線間容量を低減するために配線間に空隙を設けた多層配線構造では、配線が撓む等の形状変形が生じ、配線の信頼性が低下される。【解決手段】下層の層間絶縁膜11上に所要のパターンで形成した金属配線13を覆うように炭素系膜14を被着し、かつこの炭素系膜を平坦化した後炭素系膜上に上層の層間絶縁膜21を形成する工程を複数回繰り返して多層の金属配線からなる多層配線構造を形成し、しかる上で表面から最下層の金属配線上の炭素系膜に達する開口部43を設け、この開口部を通して前記多層配線構造内に形成された全ての前記炭素系膜14,24,34を除去し、同層の配線13,23,33間に空隙19を形成する。金属配線の上下は層間絶縁膜により支持されるため、金属配線の形状変化が防止され、信頼性が向上される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された2層以上の金属配線からなる多層配線構造を備える半導体装置において、各層のパターニングされた金属配線は上下の層間絶縁膜に挟まれた状態で延在され、かつ同層の金属配線は空隙を介して隣接配置されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/88 B , H01L 21/90 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-204960
特開平4-207055
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-184282 Applicant：日本電気株式会社

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