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J-GLOBAL ID：200903071252588922

メッキ成長装置

Inventor：
伊東 祐子

About 伊東 祐子


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 亀谷 美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999004160
Publication number (International publication number)：2000204498
Application date： Jan. 11, 1999
Publication date： Jul. 25, 2000
Summary：
【要約】【課題】 容易にメッキ層の厚みを検知することの可能なメッキ成長装置を提供する。【解決手段】 メッキ成長装置100は,ウエハ113のレジスト111が形成されたメッキ層119に光117を照射する光源121と,メッキ層に照射された光117のうちメッキ層により反射された光を検出可能な位置に配された光検出器123とを備えている。ウエハは,メッキ液を入れたメッキ槽115の所定の位置に配されている。光源は,ウエハに十分小さい角度,例えば10度程度の入射角をもって光が入射するよう配されている。メッキ層の厚みを光検出器による反射光検出の有無でメッキ成長中に判定できるようにしたので,あらかじめ成長レートを求めるためのチェック用ウエハのメッキ成長やメッキ層の厚み測定等の工程を省略することが可能である。
Claim (excerpt)：
メッキ成長装置において:基板上に形成されたメッキ層に対し光を照射する光源と;前記メッキ層に照射された光のうち前記メッキ層により反射された光を検出可能な位置に配された光検出器と;を備えたことを特徴とする,メッキ成長装置。
IPC (5)：
C25D 7/12 ,  C23C 18/16 ,  C25D 21/12 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205
FI (6)：
C25D 7/12 ,  C23C 18/16 B ,  C25D 21/12 C ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/288 Z ,  H01L 21/88 B
F-Term (10)：
4K022DB29 ,  4K024BB12 ,  4K024CB24 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104HH20 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033XX33 ,  5F033XX35
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • メッキ方法及びメッキ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-001846   Applicant：富士通株式会社
  • 特開平2-015622
  • 特開昭52-008931
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