薄膜トランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：菅野中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992110682
Publication number (International publication number)：1993283695
Application date： Apr. 03, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】薄膜トランジスタの特性が製造プロセス変動より受ける影響を小さくし、歩留りの向上,品毎のばらつきを抑え、品質向上をねらう。【構成】ゲート電極をゲート配線から引き出して構成するもの、もしくはゲート配線自体をゲート電極として使うものにかかわらず、ゲート電極1に直交し、かつゲート電極1からはみ出したソース電極3を配置し、その左右にチャネルをはさんでソース電極3と同一層でゲート電極1に直交し、かつゲート電極1からはみ出したドレイン電極2を配置した構造の薄膜トランジスタとすることにより、ゲート電極1に対してソース電極3,ドレイン電極2が限度内でいかにずれても、特性には影響が現れず、かつ、TFTとして動作が保証されるため、歩留りが向上し、さらに品物毎のばらつきも抑えられる。

Claim (excerpt)：

ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とを有するMIS型薄膜トランジスタであって、ソース電極は、ゲート電極に対し直交し、かつゲート電極からはみ出して長く配置されたものであり、ドレイン電極は、ソース電極の両側にソース電極と同層でゲート電極と直交し、かつゲート電極からはみ出して長く配置されたものであることを特徴とする薄膜トランジスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平1-267617
特開平1-243033
特開昭61-245136

Show all

Return to Previous Page