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J-GLOBAL ID:200903071264506824

固溶体単結晶の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 谷 義一 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996032002
Publication number (International publication number):1997227268
Application date: Feb. 20, 1996
Publication date: Sep. 02, 1997
Summary:
【要約】【課題】 原料融液内の対流抑制が不完全であっても、均一組成の混晶(固溶体単結晶)の育成を可能とする新しい固溶体単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 偏析と対流による成長結晶中の組成変動を相殺できるように組成を前もって変動させた原料を作製し、この原料を用いて一方向凝固により結晶を成長させる。
Claim (excerpt):
その組成が全体として目的とする固溶体の組成と一致し、かつ、その構成混合物質の濃度分布が軸方向に沿って連続的に変化している結晶試料を出発原料とし、該結晶試料に対し、その構成混合物質のうち偏析係数が1より小さい物質がより高濃度となっている端面側から前記物質がより低濃度となっている他の一端に向けて、一方向凝固を行うことによって、目的とする固溶体単結晶を得ることを特徴とする固溶体単結晶の製造方法。
IPC (3):
C30B 1/00 ,  C30B 29/46 ,  C30B 30/04
FI (3):
C30B 1/00 ,  C30B 29/46 ,  C30B 30/04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 混晶半導体単結晶の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-107686   Applicant:財団法人半導体研究振興会, 東北特殊鋼株式会社
Cited by examiner (1)
  • 混晶半導体単結晶の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-107686   Applicant:財団法人半導体研究振興会, 東北特殊鋼株式会社

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