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J-GLOBAL ID：200903071283336174

CVD装置用サセプタ及び高周波誘導加熱装置を有するCVD装置

Inventor： 木ノ内 伸一 ,  樽井 陽一郎 ,  白木 康博
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996157105
Publication number (International publication number)：1998012364
Application date： Jun. 18, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】 CVDコールドウオール法で誘導加熱型サセプタにより基板を加熱する場合、直径3インチ以上の基板を1300°C以上の高温でも、基板面内で均一に加熱を行い、また基板/サセプタ接触面と結晶成長面間の温度均一化を行って、良質なエピタキシャル結晶を得る。【解決手段】 高周波誘導加熱装置を備えたCVD装置は、高周波コイルにより発生する磁界と平行方向に、且つ基板を支える面と反対側に溝構造を持つサセプタを有し、この溝構造は円柱形をなすサセプタ形状と同軸のリング形状である。【効果】 基板を支える面での温度分布が均一となり、基板面内で均一に基板加熱することが可能である。

Claim (excerpt)：

高周波コイルの高周波誘導により加熱され、該高周波コイルにより発生する磁界の方向に且つ基板を支える面と反対側に溝を有するCVD装置用サセプタ。

IPC (5)：

H05B 6/10 301 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  C30B 25/10

FI (5)：

H05B 6/10 301 ,  C23C 16/44 H ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 B ,  C30B 25/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 高周波誘導加熱炉
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-078065   Applicant：財団法人電力中央研究所
• 特開平2-302026