半導体基板の製造方法、半導体基板の製造装置及び半導体基板

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (7)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006231391
Publication number (International publication number)：2008053665
Application date： Aug. 28, 2006
Publication date： Mar. 06, 2008
Summary：

【課題】基板上にIII族窒化物を均一な膜厚で堆積することができ、高いスループットを維持し、大面積の基板であっても製造可能な半導体基板の製造方法、半導体基板の製造装置及び半導体基板を提供すること。【解決手段】窒素ガス雰囲気でIII族金属又はIII-V族化合物からなるターゲット22にパルス電子線を照射することにより、パルスレーザ光を照射する場合に比べてターゲットを構成する原子又は分子に高い運動エネルギーを与えることができ、III族金属の原子又はIII-V族化合物の分子のプルームを広い範囲で形成することができる。本発明では、このように広い範囲で形成されたプルームを基板に近接させるので、III族窒化物の薄膜を基板32の広い範囲に均一に堆積させることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

所定の圧力のV族ガスの雰囲気下かつ所定の温度下で、III族金属又はIII-V族化合物からなるターゲットにパルス電子線を照射し、前記パルス電子線の照射によって蒸発したIII族金属の原子又はIII-V族化合物の分子を基板表面に近接させることを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (1)：

H01L 21/203

FI (1)：

H01L21/203 S

F-Term (5)：

5F103AA08 , 5F103DD01 , 5F103HH04 , 5F103RR04 , 5F103RR05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

III族窒化物半導体の成長方法、III族窒化物半導体膜およびそれを用いた半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-063688 Applicant：日本電気株式会社
酸化物基板上への集積回路装置の製造方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-247083 Applicant：科学技術振興事業団
薄膜単結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-066020 Applicant：学校法人早稲田大学

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