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J-GLOBAL ID：200903041812610957

薄膜単結晶の成長方法

Inventor：
一ノ瀬 昇

About 一ノ瀬 昇

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島村 清史

About 島村 清史

, 
青木 和夫

About 青木 和夫

, 
ガルシア ビジョラ エンカルナシオン アントニア

About ガルシア ビジョラ エンカルナシオン アントニア


Applicant, Patent owner：
学校法人早稲田大学

About 学校法人早稲田大学


Agent (1)： 平田 忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003066020
Publication number (International publication number)：2004269338
Application date： Mar. 12, 2003
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：
【課題】高品質の薄膜単結晶を形成することができる薄膜単結晶の成長方法を提供する。【解決手段】成膜装置1は、PLD法によって成膜する装置であり、レーザ部4からレーザ光42を、回転するターゲット台5に載置されたターゲット3に照射し、ターゲット3を構成する原子を励起し、熱的・光化学的作用により、ターゲット3から金属原子を遊離させる。遊離した金属原子は、チャンバ2中の雰囲気にラジカル注入部8から注入されたラジカルと結合し、β-Ga2O3単結晶からなる薄膜をβ-Ga2O3単結晶からなる基板6上に成長させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板を準備し、 所定の雰囲気中で純金属あるいは合金からなる金属ターゲットに励起ビームを照射し、これにより金属ターゲットから放出された原子、分子、イオン等の化学種と前記所定の雰囲気の原子とを結合させて前記基板上に薄膜を成長させることを特徴とする薄膜単結晶の成長方法。
IPC (11)：
C30B23/08 ,  C01G9/02 ,  C01G15/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  C23C14/28 ,  C30B29/16 ,  C30B29/38 ,  H01L21/203 ,  H01L33/00
FI (12)：
C30B23/08 Z ,  C01G9/02 B ,  C01G15/00 H ,  C23C14/06 A ,  C23C14/08 C ,  C23C14/08 J ,  C23C14/24 E ,  C23C14/28 ,  C30B29/16 ,  C30B29/38 D ,  H01L21/203 S ,  H01L33/00 A
F-Term (37)：
4G047AA02 ,  4G047AB01 ,  4G047AD02 ,  4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077BB10 ,  4G077BE15 ,  4G077DA03 ,  4G077DA14 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EA05 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4K029BA43 ,  4K029BA49 ,  4K029BA58 ,  4K029BB09 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029CA02 ,  4K029DA04 ,  4K029DB20 ,  4K029DC03 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  5F041CA06 ,  5F041CA46 ,  5F041CA67 ,  5F041CA83 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL02 ,  5F103RR06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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