ICPプラズマ処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：本庄武男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993020064
Publication number (International publication number)：1994232081
Application date： Feb. 08, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】試料を汚染するおそれがなく,しかも将来の試料の大口径化にも対応可能なICPプラズマ処理装置。【構成】試料1に高周波バイアスをかけつつ,アンテナ4により発生させた電磁波を誘電体3を介して真空容器2内に導入することにより,この容器内に試料1をプラズマ処理するプラズマを発生させる装置A′のアンテナ4と導電体3との間に電磁波の透過機能を備えた導電体5を設け,これを真空容器2に電気的に接続した構成となっている。上記構成により試料を汚染するおそれがなく,しかも将来の試料の大口径化にも対応できる。

Claim (excerpt)：

試料を収納する導電性の真空容器と,上記真空容器の一部を構成し該容器内に電磁波を導入する誘電体と,上記誘電体の外側に配設されて高周波電流を流すことにより上記電磁波を発生させるアンテナとを具備し,上記アンテナにより発生させた電磁波を上記誘電体を介して上記真空容器内に導入することにより該容器内に上記試料をプラズマ処理するプラズマを発生させるICPプラズマ処理装置において,上記アンテナと上記誘電体との間に,電磁波の透過機能を備えた導電体を設け,かつ該導電体を上記真空容器に電気的に接続してなることを特徴とするICPプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/302 , C23F 4/00 , H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平3-079025
特開平4-290428
特公昭49-029818

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