トランジスタ及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石島茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000055387
Publication number (International publication number)：2001244462
Application date： Mar. 01, 2000
Publication date： Sep. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】トランジスタの導通抵抗が低くなる技術を提供する。【解決手段】本発明のパワーMOSFET1では、ポリシリコンゲート27の下方に、低濃度不純物がドープされたポリシリコンからなる半導体材料22が配置されている。このため、空乏層は、ポリシリコンゲート27の下方の半導体材料22の内部まで広がり、ドレイン層12の表面から半導体材料22の底面までの深さで電界強度が一定になる。このため、ある深さに集中的に強い電界が加わらないので、電界強度は従来に比して小さくなり、トランジスタ1の耐圧が高くなる。従って、従来のように高い耐圧を確保するために、ドレイン層12の不純物濃度を低くする必要がないので、ドレイン層12の不純物濃度を従来に比して高くすることができ、トランジスタ1の導通抵抗を小さくすることが可能になる。

Claim (excerpt)：

第1導電型のドレイン層と、前記ドレイン層上に配置され、前記第1導電型とは異なる導電型である第2導電型の反対導電領域とを有する半導体基板と、前記ドレイン層内の一部に配置され、前記第2導電型の不純物物質を含有するポリシリコンと、前記半導体基板の前記反対導電領域側から形成され、前記ポリシリコンに達するゲート孔と、前記ゲート孔の内周面に位置し、前記ドレイン層と前記反対導電領域とソース領域とに亘って配置されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に密着し、前記ポリシリコンと絶縁された状態で、前記ゲート孔内に配置されたゲート電極膜と、前記反対導電領域内に形成され、前記ゲート孔に隣接した位置の前記半導体基板の表面に形成された第1導電型のソース領域とを有することを特徴とするトランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/78 653 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78

FI (3)：

H01L 29/78 653 C , H01L 29/78 652 G , H01L 29/78 652 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

絶縁ゲート半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-331321 Applicant：関西電力株式会社, 株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-237346 Applicant：株式会社デンソー
トレンチゲート半導体装置及びそれらの製造
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-585938 Applicant：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ

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