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J-GLOBAL ID：200903071467066188

半導体装置の製造方法

Inventor： 橋本 毅
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993070119
Publication number (International publication number)：1994283513
Application date： Mar. 29, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 埋め込み性及び平坦性の両方に優れた絶縁膜の形成方法を提供する。【構成】 下地表面をメタノールのような有機化合物を含む処理流体で処理する。次に、第1の絶縁膜を気相成長により形成する。次に、プラズマ処理を行なった後、第2の絶縁膜を同一の気相成長により形成する。この結果、埋め込み性及び平坦性の両方に優れた絶縁膜の形成方法を実現することができる。

Claim (excerpt)：

化学気相成長によって半導体装置の絶縁膜を形成するに当たり、下地表面を有機化合物を含む処理流体で処理し、この処理された下地表面に第1の絶縁膜を化学気相成長により形成し、次に第1の絶縁膜の表面にプラズマ処理を行ない、その後第2の絶縁膜を化学気相成長により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 成膜方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-077039   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-061335
  
• 特開平3-214627