Pat

J-GLOBAL ID：200903071496892348

広帯域光変調素子

Inventor： 阿河 昌弘
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996013672
Publication number (International publication number)：1997211402
Application date： Jan. 30, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 電気光学効果を利用した広帯域光変調素子に関し、SiO2バッファ層の存在による変調効率の悪化を改善する。【解決手段】 光導波路2を備えたLiNbO3基板1上に、中心導体4とアース電極5からなるCPW電極を形成する。これを空気層6を形成するように凹部を設けた支持基板8で支持する。このためLiNbO3基板1を薄くでき、基板1両側の空気層によってマイクロ波の実効屈折率を低下させる。これにより電界を減少させるSiO2バッファ層が必要なくなり、駆動電圧を低くできる。

Claim (excerpt)：

光導波路とマイクロ波を伝搬する進行波電極線路とを形成した電気光学材料基板と、前記光導波路及び進行波電極線路に対向する位置に凹部を形成した支持基板とを有し、前記電気光学材料基板は、前記支持基板との間に前記凹部による空気層が形成されるよう支持され、前記電気光学材料基板の他表面は空気中に開放されるよう構成したことを特徴とする広帯域光変調素子。

IPC (2)：

G02F 1/035 ,  G02B 6/12

FI (2)：

G02F 1/035 ,  G02B 6/12 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-219819
  
• 導波形光デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-085819   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭63-234219