プラズマ洗浄装置及びプラズマ洗浄方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西川惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000293045
Publication number (International publication number)：2002110613
Application date： Sep. 26, 2000
Publication date： Apr. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】プラズマ生成用ガスの組成によって、プラズマ洗浄時に半導体チップに加わるチャージアップダメージを低減することができるプラズマ洗浄装置を提供する。【解決手段】誘電体材料で筒状の反応管7を形成すると共に反応管7の片側を吹き出し口12として開放し、反応管7の外側に複数個の放電電極9、10を配設し、反応性ガスである酸素ガスと希ガスとを含むプラズマ生成用ガス8を反応管7に導入すると共に放電電極9、10間に電圧を印加することによって大気圧近傍の圧力下で反応管7内に放電を発生させ、放電により反応管7内に生成されたプラズマ13を吹き出し口12から吹き出すことによって、接合電極20が露出する半導体チップ14にプラズマ13を供給するプラズマ洗浄装置において、プラズマ生成用ガス8に占める酸素ガスの混合比率を2〜5vol%にする。

Claim (excerpt)：

誘電体材料で筒状の反応管を形成すると共に反応管の片側を吹き出し口として開放し、反応管の外側に複数個の放電電極を配設し、反応性ガスである酸素ガスと希ガスとを含むプラズマ生成用ガスを反応管に導入すると共に放電電極間に電圧を印加することによって大気圧近傍の圧力下で反応管内に放電を発生させ、放電により反応管内に生成されたプラズマを吹き出し口から吹き出すことによって、接合電極が露出する半導体チップにプラズマを供給するプラズマ洗浄装置であって、プラズマ生成用ガスに占める酸素ガスの混合比率を2〜5vol%にして成ることを特徴とするプラズマ洗浄装置。

IPC (7)：

H01L 21/304 645 , B08B 5/02 , B08B 7/00 , H01L 21/3065 , H01L 21/60 311 , H01L 21/60 , H05H 1/24

FI (7)：

H01L 21/304 645 C , B08B 5/02 A , B08B 7/00 , H01L 21/60 311 S , H05H 1/24 , H01L 21/302 N , H01L 21/92 604 J

F-Term (19)：

3B116AA02 , 3B116AA46 , 3B116BB02 , 3B116BB89 , 3B116BB90 , 3B116BC01 , 5F004AA06 , 5F004AA14 , 5F004BA06 , 5F004BA20 , 5F004CA02 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA26 , 5F004EA28 , 5F044KK19 , 5F044QQ04 , 5F044QQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

表面処理方法及びその装置、半導体装置の製造方法及びその装置、並びに液晶ディスプレイの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-124250 Applicant：セイコーエプソン株式会社
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-344735 Applicant：松下電工株式会社
表面清浄化法および薄膜形成法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-119726 Applicant：日本電信電話株式会社

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