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J-GLOBAL ID：200903071583369600

発光効率を改善した発光ダイオード

Inventor： シン ヒョン ス ,  イ ポン イル ,  ノ ジェ チョル ,  ピョン イン ジュン
Applicant, Patent owner： サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド.
Agent (1)： 龍華 明裕
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004359237
Publication number (International publication number)：2006080475
Application date： Dec. 10, 2004
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：

【課題】本発明は発光ダイオードに関するものである。【解決手段】上記発光ダイオードはサファイア基板; 上記サファイア基板上に成長させたn-半導体層; 上記n-半導体層の殆どの領域上に成長させた活性層; 上記活性層上に成長させたp-半導体層; 上記p-半導体層上に形成したp-電極; 上記n-半導体層の残りの領域上に蒸着させ、Cu及びSiが含まれる高反射率物質層;及び上記高反射率物質層上に形成したn-電極を含む。このようにn-電極とその下部のn-半導体層の一部領域間に高反射率物質層を形成すると、到達する光を基板側へ反射でき、それによって発光ダイオードの発光効率を改善することができる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

サファイア基板;

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 A

F-Term (11)：

5F041AA03 ,  5F041CA02 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15 ,  5F041DA09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-342998   Applicant：松下電工株式会社
• 特開平3-135524