電子装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：上柳雅誉 , 宮坂一彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006230179
Publication number (International publication number)：2008053582
Application date： Aug. 28, 2006
Publication date： Mar. 06, 2008
Summary：

【課題】コンタクトプリント法により電子装置を形成するためには、パターンの位置を検出して、パターンと印刷位置とを整合させることが必要である。しかし撥液膜に自己組織化単分子膜(SAMs)を用いている場合、段差は分子1つ分であり、光学的に認識することは困難である。そのため、位置合わせは著しく困難であり、セルフアライン機構が存在する場合でも構成要素前駆体による充填が不十分となる領域が残るという課題がある。【解決手段】撥液膜に囲まれたアライメントマーク領域24中に銀分散液をインクジェット法を用いて滴下する。アライメントマーク領域24内は親液性が高い状態であるため銀分散液は広がる。アライメントマーク領域外では撥液性自己組織化単分子22により弾かれ、表面張力によりアライメントマーク領域内に引き込まれることでアライメントマーク構造物31を形成することができる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

(1)基板の主面側に、電子装置を構成する物質のうち、前記主面側に最も近い位置にある機能膜構成物質の液状前駆体を含む第2の液体及び光学的特性が周囲と異なるアライメント構造物を得るためのアライメントマーク構造物前駆体を含む第1の液体に対して、アライメントマーク領域及び前記液状前駆体が位置すべき領域を少なくとも含むよう、前記主面側の親液状態に比して高い親液性を有する親液膜を形成する工程と、 (2)前記主面側の親液状態に比して前記第1の液体及び前記第2の液体に対する親液性が低い撥液膜を前記アライメントマーク領域及び前記液状前駆体が位置すべき領域を囲うよう形成する工程と、 (3)前記アライメントマーク領域に前記第1の液体を塗布した後、前記第1の液体にエネルギーを印加し、前記アライメントマーク構造物を形成する工程と、 (4)前記アライメントマーク構造物を用いてアライメントを行い、前記第2の液体のパターンを形成する工程、を含み、前記アライメントマーク領域は、前記第2の液体を塗布する場合に生じるアライメント誤差により生じる前記第2の液体の付着位置のずれを包含するパターンを有し、前記(1)と前記(2)の工程をこの順序で実行、前記(2)と前記(1)の工程をこの順序で実行、前記(2)の工程のみを実行、又は前記(1)のみを実行、するこれら4通りのうち何れか1通りの工程を実行した後、前記(3)及び前記(4)の工程をこの順序で実行することを特徴とする電子装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 41/22 , H01L 41/187 , B41M 3/00

FI (12)：

H01L29/78 627C , H01L29/78 617J , H01L29/78 618A , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L29/28 310J , H01L41/22 Z , H01L41/18 101B , H01L41/18 101C , H01L41/18 101D , H01L41/18 101J , B41M3/00 Z

F-Term (39)：

2H113AA01 , 2H113BA01 , 2H113BA03 , 2H113BA05 , 2H113BA09 , 2H113BB07 , 2H113BB22 , 2H113BC12 , 2H113CA17 , 2H113FA55 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE42 , 5F110EE47 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF27 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110NN04 , 5F110NN27 , 5F110NN72 , 5F110QQ01 , 5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

圧電体パターンの形成方法、圧電体パターン、圧電体素子、液滴吐出ヘッド、センサ、及びデバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-303171 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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