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J-GLOBAL ID：200903071641758680
スピンフィルタ効果素子及びスピントランジスタ
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 三上 敬史
, 石坂 泰紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008081297
Publication number (International publication number)：2009238918
Application date： Mar. 26, 2008
Publication date： Oct. 15, 2009
Summary：
【課題】素子抵抗が低く、且つ、スピン偏極電子注入効率、又はスピン依存散乱効率の高いスピンフィルタ効果素子、及び、そのようなスピンフィルタ効果素子を用いたスピントランジスタを提供する。【解決手段】本発明に係るスピントランジスタ10は、強磁性層SMを含む強磁性積層体を有するソース電極層3と、強磁性層DMを含む強磁性積層体を有するドレイン電極層7と、ソース電極層3及びドレイン電極層7が設けられた半導体層9と、半導体層9に直接又はゲート絶縁層GIを介して設けられたゲート電極層GEとを備え、ソース電極層3とドレイン電極層7のうち少なくとも一方は、半導体層9と強磁性積層体SM、DMとの間に介在する酸化物半導体層SO、DOをさらに有し、酸化物半導体層SO、DOは、半導体層9と、強磁性積層体との間のトンネル障壁を形成することを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
半導体層と、
前記半導体層上に設けられた酸化物半導体層と、強磁性層を有し前記酸化物半導体層の前記半導体層側とは反対側に設けられた強磁性積層体と、
を備え、
前記酸化物半導体層は、前記半導体層と、前記強磁性積層体との間のトンネル障壁を形成することを特徴とするスピンフィルタ効果素子。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (10)：
5F092AA02
, 5F092AA04
, 5F092AC24
, 5F092AC25
, 5F092BD03
, 5F092BD04
, 5F092BD13
, 5F092BD14
, 5F092BD15
, 5F092BD19
