スピントランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：平木祐輔 , 渡辺敏章 , 今村健一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003086145
Publication number (International publication number)：2004111904
Application date： Mar. 26, 2003
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：

【課題】トランジスタ内に含まれるピン層とフリー層の相対的な磁化の向きによって出力特性を大きく変化させることができるトランジスタと、これを用いた不揮発性メモリを提供する。【解決手段】第1及び第2の強磁性障壁層2、6の磁化の向きが互いに平行な場合、アップスピンを有するスピン偏極ホットエレクトロン26がベース22に注入される。第1及び第2の強磁性障壁層2、6の磁化方向が互いに反平行な場合、ベース22にはダウンスピンを有するスピン偏極ホットエレクトロン27が注入されるが、第2の強磁性障壁層6のダウンスピンバンド端10はスピン偏極ホットエレクトロン27のエネルギーよりも高い。このため、スピン偏極ホットエレクトロン27は、第2の強磁性障壁層6の伝導帯を伝導できず、ベース22とコレクタ23との界面においてスピン依存散乱又は反射を受けてエネルギーを失う。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

スピンフィルタ効果によってスピン偏極したホットキャリアを注入するスピンインジェクタと、この注入されたスピン偏極ホットキャリアをスピンフィルタ効果によって選別するスピンアナライザと、を有することを特徴とするトランジスタ。

IPC (4)：

H01L29/82 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L43/08

FI (4)：

H01L29/82 Z , G11C11/15 110 , H01L43/08 Z , H01L27/10 447

F-Term (1)：

5F083FZ10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

磁性素子、記憶装置、磁気再生ヘッド、及び磁気ディスク装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-138898 Applicant：株式会社東芝
スピントランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-281043 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (2)

磁性素子、記憶装置、磁気再生ヘッド、及び磁気ディスク装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-138898 Applicant：株式会社東芝
スピントランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-281043 Applicant：株式会社東芝

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体大事典, 19991201, 初版, P.1235

Cited by examiner (1)

半導体大事典, 19991201, 初版, P.1235

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