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J-GLOBAL ID：200903071644528537

利得導波型半導体レーザ

Inventor： 井戸 豊 ,  久光 守 ,  重定 頼和 ,  小林 裕 ,  樫原 稔
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995066368
Publication number (International publication number)：1996264884
Application date： Mar. 24, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 低光出力から高光出力までの広い光出力範囲で、接合面に平行な方向の遠視野像を単峰形にする。【構成】 ストライプ状の電流注入領域の端部または途中に非電流注入領域を設けた非連続ストライプ形状と、幅の異なるストライプ状の電流注入領域を組み合わせた複合ストライプ形状と、ストライプ状の電流注入領域の片端または両端をテーパー状に形成したテーパーストライプ形状との内の少なくとも一つの形状の電流狭窄構造を有し、それによって接合面に平行な方向の遠視野像を広い光出力範囲で単峰形とする。

Claim (excerpt)：

ストライプ状の電流注入領域の端部または途中に非電流注入領域を設けた非連続ストライプ形状と、幅の異なるストライプ状の電流注入領域を組み合わせた複合ストライプ形状と、ストライプ状の電流注入領域の片端または両端をテーパー状に形成したテーパーストライプ形状との内の少なくとも一つの形状の電流狭窄構造を有し、それによって接合面に平行な方向の遠視野像を広い光出力範囲で単峰形とすることを特徴とする利得導波型半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 広ストライプ型半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-157613   Applicant：株式会社島津製作所
• 特開昭51-100686
  
• 特開平3-016192