酸化タンタルのエッチング処理方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：社本一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998147578
Publication number (International publication number)：1999307519
Application date： May. 28, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】ダイナミックRAMを製造する際に、エッチング処理ステーション及びエッチング剤を変更することなく、酸化タンタル層のエッチング処理を行うことのできるエッチング処理方法を提供する。【解決手段】本エッチング処理方法は、キャパシタの下部電極構造22を半導体基板20の上に形成する工程と、その後、酸化タンタル層23、バリヤ層及び導電層を下部電極構造22及び基板20の上に順次形成する工程と備えている。次に、三塩化ホウ素、塩素及び窒素(BCl3/Cl2/N2)から成る気体混合物を含む第1の反応性ガスを用いて、上記導電層のパターニング処理を行う。その後、三塩化ホウ素、塩素及び窒素(BCl3/Cl2/N2)から成る気体混合物を含む第2の反応性ガスを用いて、上記バリヤ層のパターニング処理を行う。最後に、三塩化ホウ素、塩素及び窒素(BCl3/Cl2/N2)から成る気体混合物を含む第3の反応性ガスを用いて、上記酸化タンタル層23のパターニング処理を行う。

Claim (excerpt)：

酸化タンタルのエッチング処理を行う方法であって、半導体基板を準備し、その後、第1の導電構造、誘電層及び第2の導電層を基板上に順次形成する工程と、三塩化ホウ素(BCl3)を含む第1の反応性ガスを用いて前記第2の導電層のパターニング処理を行う、フォトリソグラフ操作及びエッチング操作を実行する工程と、三塩化ホウ素(BCl3)を含む第2の反応性ガスを用いて前記誘電層のパターニング処理を行う、フォトリソグラフ操作及びエッチング操作を実行する工程とを備えることを特徴とする酸化タンタルのエッチング処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3)：

H01L 21/302 F , H01L 27/10 621 B , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭60-152031
配線材料層のエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-222142 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-307833 Applicant：三菱電機株式会社

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